[发明专利]一种嵌入式非挥发性存储器无效

专利信息
申请号: 201010147519.4 申请日: 2010-04-13
公开(公告)号: CN101834187A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 唐粕人;吴大可;黄如;许晓燕 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L29/792;H01L29/10
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人: 邵可声
地址: 100871 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种嵌入式非挥发性存储器,属于超大规模集成电路中的半导体存储器技术领域。本发明的存储器包括一MOS晶体管和一插指型金属互联电容单元;所述插指型金属互联电容单元的内侧插指结构与所述MOS晶体管的栅极连接,构成嵌入式非挥发性存储器的浮栅;所述MOS晶体管的源漏极分别对应为嵌入式非挥发性存储器的源漏极;所述插指型金属互联电容单元的外侧插指结构为嵌入式非挥发性存储器的控制栅。与现有技术相比,本发明提高了编程、擦除速度,降低了操作电压,并提高单元的存储密度和等比例缩小能力,对实现更高速、高存储密度的存储应用中,有着明显优势和广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 嵌入式 挥发性 存储器
【主权项】:
一种嵌入式非挥发性存储器,其特征在于包括一MOS晶体管和一插指型金属互联电容单元;所述插指型金属互联电容单元的内侧插指结构与所述MOS晶体管的栅极连接,构成嵌入式非挥发性存储器的浮栅;所述MOS晶体管的源漏极分别对应为嵌入式非挥发性存储器的源漏极;所述插指型金属互联电容单元的外侧插指结构为嵌入式非挥发性存储器的控制栅。
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