[发明专利]光辅助电化学腐蚀方法加工N型硅微通道阵列用腐蚀液无效
| 申请号： | 201010141527.8 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101792106A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王国政;付申成;端木庆铎 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00;C25F3/12;H01L21/3063 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种光辅助电化学腐蚀方法加工N型硅微通道阵列用腐蚀液，属于硅微细加工技术领域。已知技术中通过向氢氟酸电解液中添加作为表面活性剂的乙醇或者聚乙二醇辛基苯基醚，制备光辅助电化学腐蚀方法加工N型硅微通道阵列用腐蚀液，使用这种腐蚀液在腐蚀过程中会导致严重的侧蚀。本发明之腐蚀液为氢氟酸、乙醇水溶液，氢氟酸浓度为1～10wt％，乙醇浓度为5～10wt％；另外加入阴离子表面活性剂，加入量为所述氢氟酸、乙醇水溶液体积的0.1～1％。用于N型宏孔硅微通道阵列的加工。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 电化学 腐蚀 方法 加工 型硅微 通道 阵列 | ||
【主权项】：
一种光辅助电化学腐蚀方法加工N型硅微通道阵列用腐蚀液，为氢氟酸、乙醇水溶液，其特征在于，氢氟酸浓度为1～10wt％，乙醇浓度为5～10wt％；另外加入阴离子表面活性剂，加入量为所述氢氟酸、乙醇水溶液体积的0.1～1％。
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