[发明专利]PMOS器件源漏泄漏缺陷的检测方法有效
| 申请号： | 201010128882.1 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102193062A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;吴浩;王恺;赵宁;龙吟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/307 | 分类号： | G01R31/307 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及PMOS器件源漏泄漏缺陷的检测方法，包括下步骤：(a)提供晶圆，该晶圆包括基底，阱区，栅极，源极、漏极，绝缘介质层，与源极或者漏极连通的金属互连线；(b)至少在金属互连线的表面沉积电介质层，使得金属互连线的电子反射率与入射电子能量的关系曲线的第二交叉点降低至E2’；(c)发射电子束扫描晶圆表面以检测出存在泄漏缺陷的源漏，且电子束的能量超过E2’。通过上述方法，只需要用较低的电子束能量即能进行源漏泄漏缺陷检测，可以在现有电子束缺陷扫描机台的极限范围内进行，对PMOS器件的良率检测工艺有很大帮助。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 器件 漏泄 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS器件源漏泄漏缺陷的检测方法，其特征在于包括如下步骤：(a)提供晶圆，该晶圆包括基底，形成在该基底中的阱区，形成在该阱区上的PMOS器件的栅极，形成在栅极两侧的阱区中的PMOS器件的源极、漏极，形成在基底以及栅极上的绝缘介质层，形成在绝缘介质层中的与源极或者漏极连通的金属互连线；(b)至少在金属互连线的表面沉积电介质层，使得金属互连线的电子反射率与入射电子能量的关系曲线的第二交叉点降低至E2’；(c)发射电子束扫描晶圆表面以检测出存在泄漏缺陷的源极或者漏极，且电子束的能量超过E2’。
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