[发明专利]双金属氧化物半导体纳米晶溶胶的低温可控制备方法有效
| 申请号： | 201010126333.0 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101804967A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 施利毅;赵尹;刘佳;袁帅;方建慧 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C01B13/14 | 分类号： | C01B13/14;C01G37/02;C01G23/047;C01G49/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双金属氧化物半导体纳米晶溶胶的低温可控制备方法，属于半导体纳米晶的制备技术领域。以两种可溶性金属无机盐溶于水，在搅拌下滴加碱溶液，并调节pH值至中性；得白色沉淀，静止陈化后，进行抽滤洗涤；将所得滤饼重新溶解在溶剂中，随后超声分散；在冰浴和搅拌下滴加过氧化物解胶，并在95℃下回流加热得到过氧金属氧化物系溶胶，转移至高压反应釜中于100～200℃下晶化，制得双金属氧化物半导体纳米晶溶胶。本发明由二元复合过氧化物制备双金属氧化物半导体纳米晶溶胶，在适宜的反应条件制备的溶胶晶粒尺寸小且晶型和形貌可控；在制备过程中避免了表面活性剂的加入，无需高温煅烧。所制得的溶胶在室内空气净化、杀菌抑菌防霉、光电转化、传感器等领域存在着广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 双金属 氧化物 半导体 纳米 溶胶 低温 可控 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双金属氧化物半导体纳米晶溶胶的低温可控制备方法，其特征在于该方法具有如下工艺过程：以两种可溶性金属无机盐为前驱体，将其溶于水，配制成0.1～0.4mol/L的水溶液；在搅拌下滴加碱溶液，并调节pH值至中性；得白色沉淀，并静止陈化后，进行抽滤、洗涤；然后将所得沉淀物滤饼重新溶解在一定的不同溶剂中，不同的溶剂可得到不同的晶化结果；随后超声分散；然后在冰浴和不断搅拌下滴加过氧化物解胶，并在95℃下回流加热4h得到过氧金属氧化物系溶胶，将所得过氧金属氧化物系溶胶转移至高压反应釜中，于100～200℃下晶化6～18个小时，制得双金属氧化物半导体纳米晶溶胶。
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