[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201010117868.1 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101789478A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈诚;郝茂盛;李士涛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，该芯片包括：N型半导体层、位于所述N型半导体层上的有源层、以及位于所述有源层上的P型半导体层；在制作所述发光二极管芯片时，从所述P型半导体层向下刻蚀，形成侧壁并露出所述N型半导体层，在所述N型半导体层上设有N电极，在所述P型半导体层上设有透明导电层，在所述透明导电层上设有P电极；在所述侧壁上、所述N电极周围以及P电极下方设有绝缘膜；所述P电极下方的绝缘膜位于所述透明导电层与P型半导体层之间。本发明的技术方案可有效解决芯片漏电、电极脱落等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，包括：N型半导体层(1)、位于所述N型半导体层(1)上的有源层(2)、以及位于所述有源层(2)上的P型半导体层(3)；在制作所述发光二极管芯片时，从所述P型半导体层(3)向下刻蚀，形成侧壁(0)并露出所述N型半导体层(1)，在所述N型半导体层(1)上设有N电极(7)，所述N电极(7)上表面与焊线接触，在所述P型半导体层(3)上设有透明导电层(5)，在所述透明导电层(5)上设有P电极(6)；其特征在于：在所述侧壁(0)上、所述N电极(7)周围以及P电极(6)下方设有绝缘膜(4)；所述P电极(6)下方的绝缘膜(4)位于所述透明导电层(5)与P型半导体层(3)之间。
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