[发明专利]鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法以及集成电路结构有效
| 申请号： | 201010113999.2 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101800083A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李介文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法以及集成电路结构，其中操作方法包括：提供包括一漏极、一栅极、一源极以及位于该漏极与该源极之间的一通道的该鳍型场效应晶体管熔丝；以及施加一编程电压于该鳍型场效应晶体管熔丝的该源极与该漏极之间，以于该鳍型场效应晶体管熔丝的该通道内形成穿透效应。上述方法还包括测定该鳍型场效应晶体管熔丝的一编程状态。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 操作方法 以及 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法，包括：提供包括一漏极、一栅极、一源极以及位于该漏极与该源极之间的一通道的该鳍型场效应晶体管熔丝；以及施加一编程电压于该鳍型场效应晶体管熔丝的该源极与该漏极之间，以于该鳍型场效应晶体管熔丝的该通道内形成穿透效应。
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