[发明专利]一种在晶体硅单面制备硅尖的膏体材料无效
| 申请号： | 201010110287.5 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101787531A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 蒋劼 | 申请（专利权）人： | 蒋劼 |
| 主分类号： | C23F1/10 | 分类号： | C23F1/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王朋飞 |
| 地址： | 215128 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在晶体硅单面制备硅尖的膏体材料。本发明利用晶体硅各向异性腐蚀的特性机理，提出一种非牛顿型的膏体材料，包括重量百分数分别为5％-60％，5％-35％和20％-60％的碱性物质、隔离屏蔽剂和有机溶剂。本发明的膏体材料组分简单，制备方便，效果好，可在晶体硅单面制备均匀致密(高度≤1μ)的硅尖列阵，从而成倍增加晶体硅的表面面积，降低硅基材料的厚度，实现了单面制程，为晶体硅片的减薄提供了实现的基础；而且实验发现，通过控制膏体的溶质含量(20％-80％)可实现硅尖列阵的大小分布，制备方法简单方便，易于控制；另外利用本发明的膏体材料制备硅尖，可大大节约成本、降低能耗、减少对环境的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 单面 制备 材料 | ||
【主权项】：
一种在晶体硅单面制备硅尖的膏体材料，包括碱性物质、隔离屏蔽剂和有机溶剂，其重量百分数分别为5％-60％，5％-35％和20％-60％，所述碱性物质为有机碱和/或无机碱。
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