[发明专利]一种硅铋石微晶体的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010108305.6 申请日: 2010-02-09
公开(公告)号: CN101850982A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 郭宏伟;王秀峰;田鹏;郭晓琛;朱常任;贺祯;韩方明 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C01B33/20 分类号: C01B33/20
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710021 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种硅铋石微晶体的制备方法,首先,取三氧化二铋和二氧化硅放入玛瑙乳体球磨罐中,加入水球磨烘干得配合料,然后将配合料加入事先放入马弗炉中的带盖高纯氧化铝坩埚中,经加热保温后随炉冷却,即得硅铋石微晶体。本发明通过高温加入原料,高温迅速熔化工艺,避免了高温下三氧化二铋的挥发带来的成分不均匀的影响。所制备的硅铋石微晶体(Bi4(SiO4)3)微晶尺寸小,晶体纯度高,杂相极少,可作为制备高品质透明硅铋石(Bi4(SiO4)3)单晶的优质原料及高性能的催化材料。
搜索关键词: 一种 硅铋石微 晶体 制备 方法
【主权项】:
一种硅铋石微晶体的制备方法,其特征在于:1)首先,将三氧化二铋和二氧化硅按Bi2O3∶SiO2=2∶3的摩尔比放入玛瑙乳体球磨罐中得混合料,然后向玛瑙乳体球磨罐中加入混合料质量40%的水,球磨1~8小时后将得到的料浆在130℃下保温2小时得配合料;2)其次,取30%的配合料加入事先放入马弗炉中的带盖高纯氧化铝坩埚中,第一次加料温度为1000~1200℃,保温10~30min后再加入剩余的配合料,然后以20~30℃/分钟升温至1250℃,盖上坩埚盖子保温1~24小时,保温过程中每隔1小时对熔融的配合料搅拌1分钟;3)保温结束后,将坩埚盖去掉,从马弗炉中取出坩埚,放入400℃的马弗炉中,10~60秒后再将坩埚迅速放入900℃的马弗炉中,保温30~240分钟;然后以20℃/分钟升温至950℃,保温30~120分钟;再以100℃/分钟降温至900℃,保温30~240分钟;然后再以100℃/分钟降温至880℃,保温30~600分钟后,随炉冷却,即得硅铋石微晶体。
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