[发明专利]化学机械研磨终点的检测方法有效
申请号: | 201010103998.X | 申请日: | 2010-01-26 |
公开(公告)号: | CN102136441A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 葛军 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/768;H01L21/321 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 王一斌;王琦 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种化学机械研磨终点的检测方法,用于晶圆表面金属的研磨终点检测,该方法包括:步骤A,以单色光源照射晶圆表面的检测区域,接收来自检测区域的反射光,以检测区域内的反射光强的平均值与入射光强的比值作为表面金属的面积百分比;步骤B,当单位时间内、表面金属的面积百分比的变化值的绝对值大于等于预定数值时,则表面金属开始被部分去除;步骤C,当单位时间内、表面金属的面积百分比的变化值的绝对值小于第一预定数值时,则初步判断达到研磨终点;步骤D、以检测区域内局部区域的反射光强的最大值与入射光强的比值作为表面金属的最大值;当单位时间内、表面金属的最大值的变化值的绝对值小于预定数值时,则达到研磨终点。 | ||
搜索关键词: | 化学 机械 研磨 终点 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种化学机械研磨终点的检测方法,用于晶圆表面金属的研磨终点检测,该方法包括:步骤A,以单色光源照射晶圆表面的第一检测区域,接收来自该第一检测区域的反射光,以该第一检测区域内的反射光强的平均值与入射光强的比值作为表面金属的面积百分比;步骤B,当第一单位时间内、表面金属的面积百分比的变化值的绝对值开始大于等于第一预定数值时,则表面金属开始被部分去除;步骤C,当第一单位时间内、表面金属的面积百分比的变化值的绝对值开始小于第一预定数值时,则初步判断达到研磨终点;其特征在于,在初步判断达到研磨终点后,该方法还包括步骤D,步骤D、以所述第一检测区域内的第二检测区域的反射光强的最大值与入射光强的比值作为表面金属的最大值;当第一单位时间内、表面金属的最大值的变化值的绝对值开始小于第二预定数值时,则达到研磨终点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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