[发明专利]半导体集成电路装置无效
| 申请号： | 200980136123.5 | 申请日： | 2009-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102160169A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 福冈耕平 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04;H03K19/094 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路装置，其包括：需要数据保持状态的电路主体(1)；测量电路主体(1)的数据保持状态的数据保持特性评价电路(3)；测量电路主体(1)的漏电流的漏电流评价电路(2)；进行电路主体(1)的电压供给电路(6)的控制的电压控制信号生成电路(5)；和存储漏电流评价电路(2)与数据保持特性评价电路(3)的测量结果的存储电路(4)，电压控制信号生成电路(5)基于存储电路(4)的存储数据，对电压供给电路(6)设定使所述电路主体(1)的漏电流为最小的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路装置，其中包括：电路主体，其需要数据保持状态；数据保持特性评价电路，其测量所述电路主体的数据保持状态；漏电流评价电路，其测量所述电路主体的漏电流；电压控制信号生成电路，其进行所述电路主体的电压供给电路的控制；和存储电路，其存储所述漏电流评价电路与所述数据保持特性评价电路的测量结果，所述电压控制信号生成电路基于所述存储电路的存储数据，对所述电压供给电路设定使所述电路主体的漏电流为最小的电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
