[实用新型]新型硅晶体管音频推挽放大电路无效
| 申请号： | 200920298102.0 | 申请日： | 2009-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN201774502U | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 杨明学 | 申请（专利权）人： | 杨明学 |
| 主分类号： | H03F3/26 | 分类号： | H03F3/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 461500 河南省长*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种硅晶体管音频推挽放大电路，由偏压电阻、输入变压器、RC单元、稳频单元、硅晶体三极管、输出变压器组成。通过此电路不仅能输出正弦波电流，还可有效抑制自激振荡和频率漂移，整体结构简单、成本低、性能高、可靠性高，适用于音频理疗设备及其它音频功率放大的场合。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 晶体管 音频 放大 电路 | ||
【主权项】：
新型硅晶体管音频推挽放大电路，由偏压电阻、输入变压器、RC单元、稳频单元、硅晶体三极管、输出变压器、RC单元偏压电阻、RC单元电容和稳频电容组成 ，其特征在于：输入变压器的中心抽头与RC单元连接，输入变压器的两端分别与硅晶体三极管的基极端相连，稳频单元并联在硅晶体三极管的集电极端和基极端，硅晶体三极管的集电极端分别与输出变压器的两端相连，硅晶体三极管的发射极端与RC单元接地端一起接地，偏压电阻与RC单元串联，偏压电阻的另一端与电源和输出变压器的中心抽头相连。
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- 本发明公开了一种推挽式结构射频功率放大器，包括与功率放大器输入端连接的输入匹配网络、与功率放大器输出端连接的输出匹配网络以及连接在输入匹配网络和输出匹配网络之间的功率放大电路，所述功率放大电路的输出级电路为主要由第二共集电极放大管和第二共发射极放大管组成的第二级NPN-NPN推挽功率放大电路。本发明使得推挽结构能够通过HBT工艺应用于射频功率放大器领域，实现了能够兼顾线性度和效率的推挽结构射频集成功率放大器。
- 线性度提高的推挽式射频功率放大器-201010160842.5
- 高怀;张晓东;胡善文;程华;陈文兰 - 苏州英诺迅科技有限公司
- 2010-04-30 - 2010-11-10 - H03F3/26
- 本发明公开了一种线性度提高的推挽式射频功率放大器，包括与功率放大器输入端连接的输入匹配网络、与功率放大器输出端连接的输出匹配网络以及连接在输入匹配网络和输出匹配网络之间的功率放大电路，所述功率放大电路包括与输入匹配网络相连的第一级放大电路和连接在第一级放大电路和输出匹配网络之间的第二级放大电路，所述第二级放大电路为由第二共集电极放大管和第二共发射极放大管组成的NPN-NPN推挽放大电路，所述第二级放大电路的输入端与地之间设有二次谐波串联谐振网络和基频并联谐振网络。本发明使得推挽结构能够通过HBT工艺应用于射频功率放大器领域，并且具有较高的线性度。
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