[发明专利]半导体材料的生长方法以及半导体衬底有效
| 申请号： | 200910247543.2 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101770941A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘建奇;任国强;王建峰;徐科;杨辉 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体材料的生长方法，包括如下步骤：提供生长衬底；在生长衬底的表面形成凹陷；在凹陷处形成颗粒状填充物，以覆盖凹陷的表面；在生长衬底表面的裸露部分生长籽晶层；采用侧向外延工艺使籽晶层横向合并，以形成连续的半导体层。作为可选的技术方案，所述凹陷为位错坑。本发明的优点在于，采用形成凹陷并采用颗粒状填充物进行填充的方法代替了现有技术中昂贵而复杂的光刻方法，节约了工艺成本，缩短了工艺周期。进一步，本发明优选采用形成位错蚀坑的方法形成凹陷，从而实现了对生长衬底中的位错进行选择性阻挡，提高了ELOG方法中阻挡层对位错的阻挡效率，避免了生长衬底中的位错延续至外延层中，降低了外延层中的位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 生长 方法 以及 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
一种半导体材料的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：提供生长衬底；在生长衬底的表面形成凹陷；在凹陷处形成颗粒状填充物，以覆盖凹陷的表面；在生长衬底表面的裸露部分生长籽晶层；采用侧向外延工艺使籽晶层横向合并，以形成连续的半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
