[发明专利]自对准的隧穿场效应晶体管的制备方法无效
| 申请号： | 200910197859.5 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101699617A | 公开（公告）日： | 2010-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;张世理;王鹏飞;仇志军;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种隧穿场效应晶体管(TFET)的制备方法。本发明使用自对准工艺形成隧穿场效应晶体管。这种隧穿场效应晶体管的制备方法工艺简单，形成这种隧穿场效应晶体管的工艺拥有自对准特性，而且其源极和漏极的形成过程可以被分离，从而可以很容易地形成拥有和衬底材料不同的源极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：①.提供一个已经形成浅槽隔离的半导体衬底；②.在所述的衬底上形成器件的栅叠层结构；③.通过光刻和刻蚀，在所述的栅叠层上形成第一个开口和第二个开口；④.淀积一层由第一种绝缘介质构成的牺牲介质层，然后对其进行各向异性刻蚀；⑤.注入离子形成第一种掺杂的区域；或者用各向同性的刻蚀方法将暴露的半导体衬底选择性地刻蚀掉，然后半导体衬底进行选择性外延生长或淀积生长新的填充材料层，该填充材料的掺杂通过生长时原位掺杂，或者生长后通过离子注入进行掺杂；⑥.去除所述的牺牲介质层，之后淀积第二种绝缘介质，构成新的牺牲介质层，并对所述的第二种绝缘介质进行各向异性刻蚀形成侧墙结构；⑦.注入离子形成第二种掺杂的区域；⑧.在源区和漏区形成金属层。⑨.进行电极隔离和电极形成，形成隧穿场效应晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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