[发明专利]半导体晶圆的清洗方法无效
申请号: | 200910197631.6 | 申请日: | 2009-10-23 |
公开(公告)号: | CN102039282A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 汤舍予;谢宝强;周祖源 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | B08B3/08 | 分类号: | B08B3/08 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 214061 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体晶圆的清洗方法,至少包含如下步骤:提供一晶圆,所述晶圆上具有刻蚀残余物;采用EKC溶液清洗所述晶圆,去除所述晶圆上的刻蚀残余物;采用一清洗剂清洗所述晶圆,去除所述晶圆上残留的EKC溶液,所述清洗剂为酮基化合物且不含有羟基;去除晶圆表面残留的清洗剂。本发明的优点在于易于控制清洗液中的水含量,从而降低了半导体晶圆的金属线发生缺陷的可能性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体晶圆的清洗方法,其特征在于,该方法至少包含如下步骤:提供一晶圆,所述晶圆上具有刻蚀残余物;采用EKC溶液清洗所述晶圆,去除所述晶圆上的刻蚀残余物;采用一清洗剂清洗所述晶圆,去除所述晶圆上残留的EKC溶液,所述清洗剂为酮基化合物且不含有羟基;去除晶圆表面残留的清洗剂。
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