[发明专利]一种浮栅为SONOS结构的闪存

摘要

本发明提供一种浮栅为SONOS结构的闪存，包括：源极和漏极，与衬底相连；浮栅氧化膜，位于衬底之上；选择栅，形成于浮栅氧化膜之上，且位于源极和漏极之间；第一浮栅，形成于浮栅氧化膜之上，且位于源极和选择栅之间，第一浮栅为SONOS结构；第二浮栅，形成于浮栅氧化膜之上，且位于漏极和选择栅之间，第二浮栅为SONOS结构；第一控制栅氧化膜和第二控制栅氧化膜，分别形成于第一浮栅和第二浮栅之上；第一控制栅和第二控制栅，分别位于第一控制栅氧化膜和第二控制栅氧化膜之上。本发明提供的闪存的浮栅采用SONOS结构，相比于多晶硅材料，增加了闪存面积的可再缩的能力。

主权项

1.一种浮栅为SONOS结构的闪存，其特征在于包括：衬底和形成于衬底内的源极区和漏极区；分别从所述源极区和漏极区引出的源极和漏极；浮栅氧化膜，覆盖于所述衬底之上、源极和漏极之间的区域；选择栅，形成于所述浮栅氧化膜之上，且位于所述源极和所述漏极之间；第一浮栅，形成于所述浮栅氧化膜之上，且位于所述源极和所述选择栅之间，所述第一浮栅为SONOS结构；第二浮栅，形成于所述浮栅氧化膜之上，且位于所述漏极和所述选择栅之间，所述第二浮栅为SONOS结构；第一控制栅氧化膜和第二控制栅氧化膜，分别形成于所述第一浮栅和所述第二浮栅之上；第一控制栅和第二控制栅，分别位于所述第一控制栅氧化膜和所述第二控制栅氧化膜之上。