[发明专利]一种双元素delta掺杂生长P型GaN基材料的方法有效
| 申请号： | 200910192129.6 | 申请日： | 2009-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101661878A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 江灏;陈计林 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/22 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双元素delta掺杂生长P型GaN基材料的方法，包括以下步骤：①在置于反应腔中的衬底上依次生长出低温缓冲层和高温缓冲层；②采用双元素delta掺杂法在所述高温缓冲层上生长p型GaN基层材料，掺杂杂质的元素为Mg、Zn或Mg、O或Mg、Si；③采用热退火方法对杂质元素进行激活。本发明所提供的双元素delta掺杂生长P型GaN基材料的方法，能显著抑制Mg杂质的自补偿效应，同时能够获得高质量的、高空穴浓度的P型GaN基材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 元素 delta 掺杂 生长 gan 基材 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双元素delta掺杂生长P型GaN基材料的方法，其特征在于包括以下步骤：①在置于反应腔中的衬底上依次生长出低温缓冲层和高温缓冲层；②采用双元素delta掺杂法在所述高温缓冲层上生长p型GaN基层材料，掺杂杂质的元素为Mg、Zn或Mg、O或Mg、Si；③采用热退火方法对杂质元素进行激活。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
