[发明专利]像素结构、有机电激发光显示单元及其制造方法有效
申请号: | 200910165631.8 | 申请日: | 2009-08-12 |
公开(公告)号: | CN101615613A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 陈昶亘;谢信弘 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是关于一种像素结构、有机电激发光显示单元及其制造方法,所述的像素结构配置于基板上,且所述像素结构包括栅极、栅绝缘层、图案化金属氧化物层、刻蚀终止层、源极以及漏极。栅极配置于基板上,栅绝缘层配置于基板上以覆盖栅极,图案化金属氧化物层配置于栅绝缘层上,且图案化金属氧化物层包括位于栅极上方的主动层以及像素电极,刻蚀终止层配置于主动层的部分区域上,源极以及漏极与未被刻蚀终止层覆盖的部分主动层电连接,且漏极与像素电极电连接。其中未被刻蚀终止层覆盖的部分图案化金属氧化物层的导电度高于被刻蚀终止层覆盖的部分图案化金属氧化物层的导电度。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 机电 激发 显示 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,配置于一基板上,其特征在于,所述像素结构包括:一栅极,配置于所述的基板上;一栅绝缘层,配置于所述的基板上以覆盖所述的栅极;一图案化金属氧化物层,配置于所述的栅绝缘层上,其中所述的图案化金属氧化物层包括一位于所述的栅极上方的主动层以及一像素电极;一刻蚀终止层,配置于所述的主动层的部分区域上,其中未被所述的刻蚀终止层覆盖的部分所述的图案化金属氧化物层的导电度高于被所述的刻蚀终止层覆盖的部分所述的图案化金属氧化物层的导电度;一源极;以及一漏极,其中所述的源极以及所述的漏极与未被所述的刻蚀终止层覆盖的部分所述的主动层电连接,且所述的漏极与所述的像素电极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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