[发明专利]一种太阳电池的制备方法以及通过该方法制备的太阳电池无效
申请号: | 200910146479.9 | 申请日: | 2009-06-08 |
公开(公告)号: | CN101604711A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 范琼;朱永生;张光春 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱 梅;刘 晔 |
地址: | 214028江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及光伏电池制造领域,具体涉及一种太阳电池的制备方法以及通过该方法制备的太阳电池。在本发明提供的太阳电池的制备方法中,在步骤(3)的去边方法中,将腐蚀浆料均匀涂抹在扩散制结后的硅片背面边缘处,然后对硅片进行加热,使腐蚀浆料的主要成分与硅片起反应,再用纯水冲洗硅片,从而完成去除边缘处的PN结。相对于常规的去边方法,本发明的去边方法能够控制腐蚀痕迹使其不蔓延到硅片扩散面,而增大扩散面PN结有效面积。而且,使用本发明的去边方法,能够使常规太阳电池正面丝网印刷的电极栅线延伸至硅片边缘,在降低边缘接触电阻与横向电阻的同时,加强晶体硅太阳电池电流的有效收集,进一步提高晶体硅太阳电池的电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 制备 方法 以及 通过 | ||
【主权项】:
1、一种太阳电池的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)对晶体硅片进行去损伤和表面制绒;(2)对表面制绒后的硅片进行扩散制结;(3)将扩散制结后的硅片背面边缘处PN结去除;(4)去除磷硅玻璃或硼硅玻璃;(5)通过等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅钝化膜;(6)丝网印刷正背面电极浆料和背场浆料;和(7)共烧形成欧姆接触,其中,在步骤(3)中,将糊状腐蚀浆料均匀涂抹在扩散制结后的硅片背面边缘处,然后对硅片进行加热,使腐蚀浆料的主要成分与硅片起反应,再用纯水冲洗硅片,从而完成去除边缘处的PN结。
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