[发明专利]具隐藏更新及双端口能力的SRAM兼容嵌入式DRAM装置有效

专利信息
申请号: 200910135939.8 申请日: 2009-04-30
公开(公告)号: CN101877242A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 王思闵 申请(专利权)人: 旭曜科技股份有限公司
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401;G11C7/06;G11C11/4063;G11C11/408;G09G3/36
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提出一种具隐藏更新及双端口能力的SRAM兼容嵌入式DRAM装置。其包括:内存数组,其包括多个双端口内存细胞格;第一端口存取单元,其连接至该内存数组,以存取该内存数组中的内存细胞格;第二端口存取单元,其连接至该内存数组,以存取该内存数组中的内存细胞格;存取仲裁器,其连接至该第一端口存取单元及该第二端口存取单元,以仲裁第一存取端口存取要求、第二存取端口存取要求及隐藏更新要求。
搜索关键词: 隐藏 更新 端口 能力 sram 兼容 嵌入式 dram 装置
【主权项】:
一种具隐藏更新及双端口能力的SRAM兼容嵌入式DRAM装置,其包括:内存数组,其包括多个双端口内存细胞格;第一端口存取单元,其连接至该内存数组,用以存取该内存数组中的内存细胞格;第二端口存取单元,其连接至该内存数组,用以存取该内存数组中的内存细胞格;以及存取仲裁器,其连接至该第一端口存取单元及该第二端口存取单元,用以仲裁第一存取端口存取要求、第二存取端口存取要求及隐藏更新要求。
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