[发明专利]具有改进应力的中间电介质层的后端互联电路有效
| 申请号： | 200910127010.0 | 申请日： | 2009-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101582409A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡豪益;刘豫文;陈宪伟;陈英儒;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 马铁良;张 觐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构包括第一、第二和第三金属化层。所述第一金属化层包括具有第一k值的第一电介质层和在所述第一电介质层中的第一金属连线。所述第二金属化层在所述第一金属化层上面，包括具有大于第一k值大的第二k值的第二电介质层；和在第二电介质层中的第二金属连线。所述第三金属化层在第二金属化层上面，包括具有第三k值的第三电介质层；和在第三电介质层中的第三金属连线。所述集成电路结构还包括在第三金属化层之上的底层钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 应力 中间 电介质 后端 电路 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路结构，包括：第一金属化层，包括：具有第一k值的第一电介质层；和在所述第一电介质层中的第一金属连线；在所述第一金属化层之上的第二金属化层，所述第二金属化层包括：具有第二k值的第二电介质层，所述第二k值大于所述第一k值；和在所述第二电介质层中的第二金属连线；在所述第二金属化层之上的第三金属化层，所述第三金属化层包括：具有第三k值的第三电介质层；和在所述第三电介质层中的第三金属连线；以及在所述第三金属化层之上的底层钝化层。
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