[发明专利]一种磷酸二氢钾单晶快速生长方法无效

专利信息
申请号: 200910111247.X 申请日: 2009-03-13
公开(公告)号: CN101831700A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 李国辉;汪剑成;郑国宗;庄欣欣;贺友平;林秀钦 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/14 分类号: C30B29/14;C30B7/08;G02F1/355
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种磷酸二氢钾单晶快速生长方法。本发明采用溶液降温法快速生长大口径KDP晶体,但改变了以往只在Z方向生长的做法,采用添加剂以促进KDP晶体沿X,Y,Z三个方向同时快速生长。采用小籽晶进行大口径晶体生长,可以一步到位,快速地生长出所需要的籽晶尺寸或可用晶体,操作方便,生长出的方形晶体利用率高,同时由于籽品尺寸甚小,成锥恢复时间短,因此籽晶本身的缺陷延伸少,节省了溶液中的固体原料。
搜索关键词: 一种 磷酸 二氢钾单晶 快速 生长 方法
【主权项】:
一种磷酸二氢钾单晶快速生长法,其特征在于:(1)添加剂氯化钾的用量为5M%;(2)初始过饱和度达到7℃;(3)KDP晶体的X,Y,Z方向平均生长速度可达15mm/天。
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1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

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