[发明专利]沟槽刻蚀的方法及量测沟槽深度的装置有效
| 申请号： | 200910084125.6 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101894755A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/66;H01L21/768;G01N13/16 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽刻蚀的方法，包括以下步骤：设置刻蚀反应腔的刻蚀参数；刻蚀形成沟槽；对晶片上包括单线(Iso)处和密线(Dense)处的沟槽深度进行量测，进行量测时，将量测装置伸入到沟槽底部；判断是否达到目标沟槽深度，如果达到目标深度，则结束刻蚀；否则重新设置所述刻蚀参数，进行沟槽刻蚀，直至到达目标深度。本发明还公开了一种量测沟槽深度的装置。采用该方法及装置能够精确量测沟槽深度，无论是由于刻蚀反应腔的不同引起刻蚀沟槽深度的差异，还是微负载效应(Micro loading Effect)引起的Iso处和Dense处沟槽深度的不同，都可以精确量测，从而灵活调整刻蚀工艺参数，使Iso处和Dense处的沟槽深度符合目标值。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 刻蚀 方法 深度 装置 | ||
【主权项】：
一种沟槽刻蚀的方法，包括以下步骤：设置刻蚀反应腔的刻蚀参数；刻蚀形成沟槽；对晶片上包括单线Iso处和密线Dense处的沟槽深度进行量测，进行量测时，将量测装置伸入到沟槽底部；判断是否达到目标沟槽深度，如果达到目标深度，则结束刻蚀；否则重新设置所述刻蚀参数，进行沟槽刻蚀，直至到达目标深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
