[发明专利]凹模热压印中应用光刻胶整形改善填充和减少残胶的方法无效

专利信息
申请号: 200910073198.5 申请日: 2009-11-13
公开(公告)号: CN101702077A 公开(公告)日: 2010-05-05
发明(设计)人: 金鹏;高育龙;李伟;谭久彬 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 凹模热压印中应用光刻胶整形改善填充和减少残胶的方法,属于微纳米加工方法;该方法在热压印之前加入了以下两个步骤:①首先对基片上的光刻胶薄层整形,获得与压模图案区域一致的光刻胶区域;②将压模与整形后的光刻胶区域对准;本发明实现了凹模压印和凸模压印各自优点的结合,兼具压模寿命长,易填充、残胶厚度小,容易脱模的优点。
搜索关键词: 凹模热 压印 应用 光刻 整形 改善 填充 减少 方法
【主权项】:
一种凹模热压印中应用光刻胶整形改善填充和减少残胶的方法,其特征在于在热压印之前加入了以下两个步骤:①首先对基片上的光刻胶薄层整形,获得与压模图案区域一致的光刻胶区域;②将压模与整形后的光刻胶区域对准。
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