[发明专利]一种电阻随机存储器的置位操作方法无效
| 申请号： | 200910050945.3 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101882462A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;王明;吕杭炳;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C7/20 | 分类号： | G11C7/20;G11C11/56;G11C17/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体涉及一种电阻随机存储器的置位操作方法。本发明通过脉冲幅度以步进式增长的多个脉冲对电阻随机存储器进行一次置位操作，使每个电阻随机存储器、或者每个电阻随机存储器的每次置位操作在最合适的置位操作电压上进行，避免了置位操作中“过编程”的现象，从而提高电阻随机存储器置位后的Ron值，有利于降低后续复位操作的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 随机 存储器 操作方法 | ||
【主权项】：
一种电阻随机存储器的置位操作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)所述电阻随机存储器为高阻态时，施加初始置位操作脉冲于所述电阻随机存储器；(2)施加读操作信号于所述电阻随机存储器，如果所述电阻随机存储器为低阻态，则置位操作结束；如果所述电阻随机存储器为高阻态，则进入下一步骤；(3)施加后续置位操作脉冲于所述电阻随机存储器，所述后续置位操作脉冲相比之前一个置位操作脉冲增加一定的脉冲幅度；(4)重复步骤(2)和(3)，直至置位操作结束。
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