[发明专利]像素单元、共面转换型液晶显示装置及制造方法有效

专利信息
申请号: 200910050463.8 申请日: 2009-04-27
公开(公告)号: CN101872770A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 黄贤军;袁剑峰 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/52;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/71;G02F1/1368
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201201 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种像素单元、共面转换型液晶显示装置及制造方法。所述像素单元由配置于衬底上的,彼此交叉的相邻扫描线和数据线所定义,其包括:配置于所述衬底上的晶体管,所述晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述晶体管的源极与所述数据线连接,所述晶体管的漏极与像素电极连接;以及存储电容,由下电极、中间电极、上电极以及各电极间的介质层构成,所述存储电容的下电极、中间电极、上电极分别位于第一导电层、第二导电层、第三导电层。所述像素单元还包括位于第一导电层或第二导电层,且与所述像素电极的图形部分重叠的挡光条。所述像素单元及共面转换型液晶显示装置减小了存储电容的面积,从而提高开口率,提高了显示品质,提高了对比度。
搜索关键词: 像素 单元 转换 液晶 显示装置 制造 方法
【主权项】:
一种像素单元,由配置于衬底上的,彼此交叉的相邻扫描线和数据线所定义,所述像素单元包括:配置于所述衬底上的晶体管,所述晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述晶体管的源极与所述数据线连接,所述晶体管的漏极与像素电极连接;以及存储电容,其特征在于,所述存储电容由下电极、中间电极、上电极以及各电极间的介质层构成,所述存储电容的下电极、中间电极、上电极分别位于第一导电层、第二导电层、第三导电层。
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