[发明专利]浅沟槽及其制造方法和浅沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 200910045977.4 | 申请日： | 2009-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101783313A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;王新鹏;张世谋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3065;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及浅沟槽及其制造方法和浅沟槽隔离结构。其中，浅沟槽的制造方法包括步骤：提供具有掩膜层的半导体衬底；刻蚀所述掩膜层，使得所述掩膜层在平行于浅沟槽宽度方向上的截面为长方形或正方形；以所述掩膜层为掩膜，利用含卤素的等离子体在半导体衬底上形成浅沟槽，所述浅沟槽的侧壁在其宽度方向的截面上内凹。与现有技术相比，本发明形成侧壁内凹的浅沟槽结构，更方便浅沟槽的填充。并且，利用截面为长方形或正方形的掩膜层作为刻蚀浅沟槽的掩膜，可以使得浅沟槽的原始设计尺寸与实际制造尺寸之间的偏差均一。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 及其 制造 方法 隔离 结构 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供具有掩膜层的半导体衬底；刻蚀所述掩膜层，使得所述掩膜层在平行于浅沟槽宽度方向上的截面为长方形或正方形；以所述掩膜层为掩膜，利用含卤素的等离子体在半导体衬底上形成浅沟槽，所述浅沟槽的侧壁在所述浅沟槽宽度方向的截面上内凹。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910045977.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：汽车油量电脑计数器
- 下一篇：用于LED光源的侧导光透镜
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
