[发明专利]提高表面性能的方法无效
| 申请号： | 200910045820.1 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101789373A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 卑多慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;C23C22/06 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高表面性能的方法，在对沉积后的金属层进行化学机械抛光处理之后，对晶圆进行掺氮的碳化硅层或氮化硅层沉积处理之前，该方法进一步包括：采用含有氢氟酸的酸性有机溶液对化学机械抛光处理后的晶圆进行表面处理，并使用去离子水对晶圆进行清洗。本发明提供的提高表面性能的方法，通过使用含有HF的酸性有机溶液，能够减少晶圆表面的自由金属离子、消除金属氧化物以及溶解造成表面杂质污染的有机粒子，有效修复了Q time期间产生的晶圆表面性能的降低，相比于现有技术有效提高了晶圆的表面性能，且应用改进后的加工流程不会带来成本增加。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 表面 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高表面性能的方法，其特征在于，在对沉积后的金属层进行化学机械抛光处理之后，对晶圆进行掺氮的碳化硅层或氮化硅层沉积处理之前，该方法进一步包括：采用含有氢氟酸的酸性有机溶液对化学机械抛光处理后的晶圆进行表面处理，并使用去离子水对晶圆进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
