[发明专利]硅通孔键合结构无效
| 申请号： | 200910000421.3 | 申请日： | 2009-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101656197A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 王宗鼎;陈承先;卿恺明;李柏毅;李建勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 马铁良;梁 永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了键合半导体衬底的系统和方法。优选的实施例包括在半导体衬底的表面之上形成过渡层，同时为了防止可能形成的潜在的空隙，保留从过渡层突出的TSV。在将被键合到第一半导体衬底的另一个半导体衬底上形成保护层。两个衬底被对准并键合到一起，并且过渡层防止与初始半导体衬底的表面发生任何短路接触。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔键合 结构 | ||
【主权项】：
1、一种连接两个半导体晶片的方法，所述方法包括：提供第一衬底，包括：第一侧面以及与所述第一侧面相对的第二侧面；穿过所述第一衬底并从所述第一衬底的第二侧面突出的硅通孔；位于所述第一衬底的第二侧面之上的过渡层；提供具有第三侧面的第二衬底，所述第二衬底包括：位于所述第二衬底的第三侧面上的接触点；位于所述第二衬底的第三侧面之上的保护层；使所述过渡层接触所述保护层，这样所述硅通孔以及所述接触点彼此对准；以及将所述第一衬底键合到所述第二衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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