[发明专利]真空缓冲装置有效
| 申请号： | 200810228374.3 | 申请日： | 2008-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101728234A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 侯宪华 | 申请（专利权）人： | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110168 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片加工过程中真空系统问题的应对技术，具体的说是一种真空缓冲装置，当设备隐没种原因而突然停止真空供应时，则该系统会发挥作用，保证设备不会因此而造成碎片等损失，起到安全保障的作用。该装置设有真空包、废物收集装置，真空包上设有与真空管路连接的接口，通过在真空供应系统及设备真空管路之间装有一个密封的腔体保护系统的真空度，当遇到系统真空度出现突然下降时起到保护作用。真空管上焊接连块，废物收集装置可以拆卸的与连块相连。废物收集装置可定时拆卸下来进行废物清理，该装置被设计成可调节的结构，保证系统真空无泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 缓冲 装置 | ||
【主权项】：
一种真空缓冲装置，其特征在于：该装置设有真空包，真空包上设有与真空管路连接的接口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳芯源微电子设备有限公司，未经沈阳芯源微电子设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810228374.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阻断半导体差排缺陷的方法
- 下一篇：双电池热插拔装置及其切换方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
