[发明专利]晶片磨削方法及磨削装置有效
| 申请号： | 200810215148.1 | 申请日： | 2008-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101383281A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 关家一马 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/66;B24B7/22 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 坚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶片磨削方法及磨削装置，是无擦痕的晶片磨削方法及磨削装置。磨削装置包括：卡盘工作台，其保持晶片；和磨削构件，其具有对保持于该卡盘工作台的晶片进行磨削的磨轮，在使用该磨削装置的晶片磨削方法中，通过擦痕检测构件检测晶片磨削面是否有擦痕，在未检测出擦痕的情况下，将晶片搬送到下一工序，在检测出擦痕的情况下，继续进行磨削，或者执行除擦痕磨削。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 磨削 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种晶片磨削方法，其使用了磨削装置，该磨削装置包括：卡盘工作台，其保持晶片；和磨削构件，其具有对保持于该卡盘工作台的晶片进行磨削的磨轮，上述晶片磨削方法的特征在于，通过擦痕检测构件来检测晶片的磨削面是否有擦痕，在未检测出擦痕的情况下，将晶片搬送到下一工序，在检测出擦痕的情况下，继续进行磨削，或者执行除擦痕磨削。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810215148.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高纯镓的制备方法
- 下一篇：一种制备虾青素酯的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
