[发明专利]多晶掺钨氧化锡透明导电氧化物薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为一种掺钨二氧化锡(SnO₂:W)多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在温度为室温的石英玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积(PPD)技术，在适当的靶材成分、沉积压强、脉冲电流、脉冲电压以及后热处理技术下制备获得具有多晶结构的SnO₂:W薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围(400-700nm)高透射率、以及近红外范围(700-2500nm)高透射率等优良的光学和电学特性。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器、特别是近红外传感器以及太阳能电池等领域具有良好的应用前景。

主权项

1. 一种多晶掺钨氧化锡透明导电氧化物薄膜，其特征在于该掺钨二氧化锡SnO2:W薄膜由室温脉冲等离子体沉积方法和后热处理技术制备获得，薄膜厚度为100nm-160nm，载流子迁移率在66.4cm2/V·s以上，自由载流子浓度为1.38×1020cm-3，最低电阻率为6.84×10-4Ω·cm，可见光和近红外平均透射率分别为85％和90％。