[发明专利]一种厚膜光刻胶清洗剂无效
申请号: | 200810202490.8 | 申请日: | 2008-11-10 |
公开(公告)号: | CN101738880A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 史永涛;彭洪修;曹惠英 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人: | 李佳铭 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种厚膜光刻胶清洗剂,其包含二甲基亚砜、氢氧化钾、醇胺、烷基二醇芳基醚和聚丙烯酸类缓蚀剂,其中烷基二醇芳基醚中烷基二醇的碳原子数目为3~18。本发明的厚膜光刻胶清洗剂可以除去金属、金属合金或电介质等基材上的厚膜光刻胶,尤其是100μm以上厚度的厚膜光刻胶,同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有很低的腐蚀性,使其对晶片图案和基材表现出很低的腐蚀性,环境友好且可在较宽的温度范围内使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 光刻 洗剂 | ||
【主权项】:
一种厚膜光刻胶清洗剂,其特征在于:其包含二甲基亚砜、氢氧化钾、醇胺、烷基二醇芳基醚和聚丙烯酸类缓蚀剂,其中烷基二醇芳基醚中烷基二醇的碳原子数目为3~18。
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