[发明专利]提高介电膜的材料性能的活化化学方法无效
| 申请号： | 200810092038.0 | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101312129A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | S·J·韦格尔;M·L·奥奈尔;R·N·夫尔蒂斯;D·西纳托尔 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于恢复具有第一介电常数和至少一个表面的含硅介电材料层的介电常数的方法，其中含硅介电材料层的第一介电常数已经被增加到第二介电常数，该方法包括如下步骤：将含硅介电材料层的所述至少一个表面与含硅流体接触；将含硅介电材料层的所述至少一个表面暴露于选自紫外辐射、热和电子束的能量源，其中在该含硅介电材料层暴露到能量源之后，该含硅介电材料层具有低于第二介电常数的第三介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 介电膜 材料 性能 活化 化学 方法 | ||
【主权项】：
1、用于恢复具有第一介电常数和至少一个表面的含硅介电材料层的介电常数的方法，其中含硅介电材料层的第一介电常数已经被增加到第二介电常数，该方法包括如下步骤：将含硅介电材料层的所述至少一个表面与含硅流体接触；和将含硅介电材料层的所述至少一个表面暴露于选自紫外辐射、热和电子束的能量源，其中在该含硅介电材料层暴露于能量源之后，该含硅介电材料层具有低于第二介电常数的第三介电常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
