[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810085723.0 | 申请日: | 2008-03-13 |
公开(公告)号: | CN101266994A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 韩昌勋 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种具有增加的宽高比的图像传感器和制造图像传感器的方法。本发明公开一种具有相对大的工艺余量(甚至在高标准像素中)的图像传感器和用于制造图像传感器的方法,这可降低和/或消除在缩减图像传感器的规模中的限制。图像传感器可包括下述至少之一:包括第一转移晶体管的第一单位像素、包括第二驱动晶体管的第二单位像素和电连接第一单位像素的浮置扩散区域与第二单位像素的第二驱动晶体管的触点。一种制造图像传感器的方法包括以下至少之一:形成包括第一转移晶体管的第一单位像素;形成包括第二驱动晶体管的第二单位像素;以及形成电连接第一单位像素的浮置扩散区域与第二单位像素的第二驱动晶体管的触点。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种图像传感器,包含:第一单位像素,其包括第一转移晶体管;第二单位像素,其包括第二驱动晶体管;以及触点,用于电连接所述第一单位像素的浮置扩散区域与所述第二单位像素的所述第二区域晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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