[发明专利]CMOS结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810082061.1 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101266978A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 刘孝诚;R·A·道纳顿;K·里姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/12;H01L21/8238;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及CMOS结构及其制造方法。一种CMOS结构包括n－FET器件和p－FET器件，所述n－FET器件具有n－FET沟道区域，所述p－FET器件具有p－FET沟道区域。所述n－FET沟道区域包括位于硅－锗合金材料层上的第一硅材料层。所述p－FET沟道包括位于硅－锗－碳合金材料层上的第二硅材料层。所述硅－锗合金材料层在所述n－FET沟道内诱导希望的拉伸应变。所述硅－锗－碳合金材料层抑制了所述p－FET沟道区域内的不希望的拉伸应变。可以通过将碳选择性地并入到形成所述硅－锗合金材料层的硅－锗合金材料中，来形成构成所述硅－锗－碳合金材料层的硅－锗－碳合金材料。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS结构，包括：n-FET器件和p-FET器件，所述n-FET器件和p-FET器件位于衬底内和上，其中：所述n-FET器件具有第一沟道，所述第一沟道包括位于硅-锗合金材料层上的第一硅材料层；以及所述p-FET器件具有第二沟道，所述第二沟道包括位于硅-锗-碳合金材料层上的第二硅材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
