[发明专利]灰阶掩模的缺陷检查方法及装置及其制造方法、光掩模的缺陷检查方法、图案转印方法无效
申请号: | 200810081531.2 | 申请日: | 2008-02-28 |
公开(公告)号: | CN101256350A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 中西胜彦 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种灰阶掩模的缺陷检查方法,能够正确判定具有形成了在掩模使用时的曝光条件下的析像限度以下的细微图案的区域的灰阶掩模的半透光部有无缺陷,能够提高缺陷检查的可靠性。灰阶掩模具有遮光部、透光部和半透光部,灰阶掩模的半透光部具有形成了在灰阶掩模使用时曝光的曝光条件下的析像限度以下的细微遮光图案的区域,其中具有:扫描半透光部得到透过率信号的工序;及将透过率信号与预先设定的半透光部的透过率许可值进行比较,判定半透光部有无缺陷的判定工序。在得到透过率信号的工序中,利用规定的光源照射半透光部,利用拍摄装置拍摄在透过半透光部的透过光束的作用下从正聚焦位置以规定量散焦后的图像,从该拍摄图像得到透过率信号。 | ||
搜索关键词: | 灰阶掩模 缺陷 检查 方法 装置 及其 制造 光掩模 图案 | ||
【主权项】:
1. 一种灰阶掩模的缺陷检查方法,所述灰阶掩模具有遮光部、透过部以及半透光部,所述半透光部是调整透过量的区域,且以降低透过该区域的光的透过量来选择性改变被转印体上的光致抗蚀剂的膜厚为目的,所述灰阶掩模的所述半透光部具有形成了在灰阶掩模使用时曝光的曝光条件下的析像限度以下的细微遮光图案的区域,所述灰阶掩模的缺陷检查方法的特征在于:具有:扫描所述半透光部,得到透过率信号的工序;以及将所述透过率信号与预先设定的半透光部的透过率许可值进行比较,判定所述半透光部有无缺陷的判定工序,在得到所述透过率信号的工序中,利用规定的光源照射所述半透光部,利用拍摄装置拍摄在透过了所述半透光部的透过光束的作用下从正聚焦位置以规定量散焦后的图像,从该拍摄图像得到透过率信号。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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