[发明专利]SiCN膜形成方法及形成装置

摘要

本发明提供一种成膜方法，在处理区域内多次重复以下的循环从而在被处理基板上形成SiCN膜。各循环包括：供给包括硅烷类气体的第一处理气体的第一工序；供给包括氮化气体的第二处理气体的第二工序；供给包括烃气体的第三处理气体的第三工序；和隔断第一处理气体的供给的第四工序。在处理区域外不对第一、第二以及第三处理气体等离子体化而将它们供给处理区域，并且将处理区域加热至硅烷类气体与氮化气体以及烃气体相互反应的第一温度。

主权项

1.一种SiCN膜形成方法，其特征在于：该方法是在能够有选择地供给包括硅烷类气体的第一处理气体、包括氮化气体的第二处理气体以及包括烃气体的第三处理气体的处理区域内，通过多次重复以下循环并层积在所述每个循环中所形成的薄膜，从而在被处理基板上形成具有规定厚度的SiCN膜的方法，此处，所述各个循环包括：向所述处理区域供给所述第一处理气体的第一工序；向所述处理区域供给所述第二处理气体的第二工序；向所述处理区域供给所述第三处理气体的第三工序；以及断开向所述处理区域供给所述第一处理气体的第四工序，在所述处理区域外不对第一、第二以及第三处理气体进行等离子体化而将其供给所述处理区域，并且在整个所述第一、第二、第三以及第四工序中，将所述处理区域加热至所述硅烷类气体与所述氮化气体以及所述烃气体相互反应的第一温度。