[发明专利]一种半导体泵浦激光器有效
| 申请号： | 200810070774.6 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101247019A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 吴砺;卢秀爱 | 申请（专利权）人： | 福州高意通讯有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/06 | 分类号： | H01S3/06;H01S3/16;H01S3/0941;H01S3/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350014福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体泵浦激光器，其包括半导体激光泵浦源、光学耦合系统和激光腔，激光腔包括前后腔片、激光增益介质、以及除激光增益介质以外的光学元件，其中激光增益介质由二片或二片以上掺杂离子浓度不同或吸收系数不同的激光增益介质组成，不同的激光增益介质顺泵浦光入射方向按掺杂离子浓度或吸收系数由小到大排列，利用掺杂离子浓度低的激光增益介质吸收部分泵浦光，泵浦光另一部分透过低掺杂的激光增益介质被掺杂离子浓度较高的激光增益介质泵浦吸收，减少掺杂离子浓度高的激光增益介质的热透镜效应，同时可以增强泵浦光的吸收，从而获得适于较宽泵浦波长范围、宽温度工作的半导体泵浦的激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体泵浦激光器，包括半导体激光泵浦源、光学耦合系统和激光腔，激光腔包括前后腔片、激光增益介质、以及除激光增益介质以外的光学元件，其特征在于：激光增益介质由二片或二片以上掺杂离子浓度不同或吸收系数不同的激光增益介质组成，不同的激光增益介质顺泵浦光入射方向按掺杂离子浓度或吸收系数由小到大排列。
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