[发明专利]垂直腔面发射激光器列阵的串接结构有效
| 申请号： | 200810051624.0 | 申请日： | 2008-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101447647A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 史晶晶;王立军;秦莉;刘云;宁永强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/42 | 分类号： | H01S5/42;H01S5/024 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人： | 王立伟 |
| 地址： | 130033吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明是一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵的串接结构，涉及光电子及半导体技术领域。该结构包括热沉、热沉表面的金属膜、垂直腔面发射激光器列阵芯片、金属条、流入电极、流出电极及金丝引线、发光单元。该发明实现了VCSEL列阵的串接，结构紧凑，所有的引线都分布在外侧，VCSEL列阵芯片排列紧密，有效的发光面积大，发光密度大。在不提高驱动电流的前提下进一步提高VCSEL列阵的输出功率，拓展了VCSEL列阵的应用范围。使用高导热材料做为热沉散热，又使用热传导效率较高的焊料，加之VCSEL列阵芯片的工作方式是脉冲工作，因此，基本解决了散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光器 列阵 结构 | ||
【主权项】：
1、一种新型的垂直腔面发射激光器列阵串接结构，其特征在于：该结构包括热沉(1)、热沉表面的金属膜(2)、垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)、金属条(4)、流入电极(51)、流出电极(52)及金丝引线(6)、每个垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)中包括M×M个发光单元(7)；各部分的位置及连接关系：在热沉(1)上的指定区域蒸镀金属膜(2)，垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)焊接在热沉(1)上蒸镀金属膜(2)的区域内，再将金属条(4)焊接在热沉(1)上蒸镀金属膜(2)的区域，金丝引线(6)将垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)和金属条(4)连接，电流通过流入电极(51)流入，通过金丝引线流入各个垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)，最后从流出电极(52)流出，垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)在金属膜区域内排列方式是以N×N，N×N为垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)的个数，本发明中N为2-10的正整数。
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