[发明专利]CoolMOS结构中纵向P型区的形成方法无效
| 申请号： | 200810044107.0 | 申请日： | 2008-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101752252A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CoolMOS结构中纵向P型区的形成方法，通过在N型外延上开深沟槽，然后再利用外延工艺在沟槽内生长出P型单晶硅形成在N型外延上的P型区域，然后通过回刻工艺将槽内生长的P型外延单晶刻蚀到与沟槽表面平齐，以形成CoolMOS的纵向P型区域。该方法减少了工艺的复杂度和加工时间。 | ||
| 搜索关键词： | coolmos 结构 纵向 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种CoolMOS结构中纵向P型区的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底上一次性生长N型外延；(2)在N型外延上生长一层二氧化硅膜，然后在N型外延上选定要生长P型区的部分开深沟槽；(3)在保留表面二氧化硅膜的状态下，利用外延方法生长P型外延硅用以填充深沟槽；(4)用回刻工艺去除在二氧化硅膜表面生长出的外延硅，并将深沟槽内的P型外延刻蚀到接近N型外延表面；(5)去除二氧化硅膜，露出外延表面，在外延上生长栅二氧化硅膜，在栅二氧化硅膜上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区，最终形成CoolMOS的纵向P型区外延结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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