[发明专利]微电容参比测量电路无效

专利信息
申请号: 200810040836.9 申请日: 2008-07-22
公开(公告)号: CN101349716A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 彭建学;叶银忠;刘以建 申请(专利权)人: 上海海事大学
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26
代理公司: 上海天翔知识产权代理有限公司 代理人: 孙景宜
地址: 200135上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开两种微电容参比测量电路,电路结构采用参比电容和被测微电容并联,激励电压通过限流电阻同时对被测微电容和参比电容进行充放电,被测微电容和参比电容的充放电电流分别经过反向运算放大器转换为各自的电压信号,通过测量这两个电压信号的比值,即可算得被测微电容的电容量。本发明消除目前微电容测量电路存在的许多缺点,电路简单廉价,可进一步降低微电容测量的最小量程,同时提高了测量精度。
搜索关键词: 电容 测量 电路
【主权项】:
1、微电容参比测量电路,其特征在于,该电路输入端通过引入任意波形的激励电压E,再连接电阻R以及测量回路分布电容CD,之后分成两路分别接入运算放大器A1、A2,其中一路通过连接被测微电容Cx和测量回路分布电容CD /接入运算放大器A1的反向输入端,该运算放大器的正向输入端接地,输出端Ux与反向输入端间连接有反馈电阻R1;另一路通过连接已知参比电容CR接入运算放大器A2的反向输入端,该运算放大器的正向输入端接地,输出端UR 与反向输入端间连接有反馈电阻R2。
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