[发明专利]包括氧化铝和/或含钛材料的CVD涂覆方案及其制造方法有效

申请号：	200780022923.5	申请日：	2007-06-12
公开（公告）号：	CN101473063A	公开（公告）日：	2009-07-01
发明（设计）人：	C·G·麦克纳尼;P·K·梅赫罗特拉;小A·S·盖茨;P·R·莱希特	申请（专利权）人：	钴碳化钨硬质合金公司
主分类号：	C23C16/36	分类号：	C23C16/36;C23C14/06;B32B15/00
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	李帆
地址：	美国宾***	国省代码：	美国;US
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摘要：	包括一个基体(22)和在基体上的一个涂覆方案(36)的一种涂覆体(20)。该涂覆方案包括一个CVD碳氮化钛涂层(41)，该涂层含有具有预选定粒径的碳氮化钛颗粒。该涂覆方案进一步包括一个第一含钛/铝涂层(48，52，56)，该第一含钛/铝涂层含有第一含钛/铝颗粒，这些颗粒被涂覆为使其比该碳氮化钛涂层离基体更远。这些第一含钛/铝颗粒具有一个预选定的粒径。该涂覆方案还包括一个CVD氧化铝涂层(50，54，58)，该氧化铝涂层含有氧化铝颗粒，这些颗粒被涂覆为使其比该第一含钛/铝涂层离基体更远。这些氧化铝颗粒具有一个预选定的粒径。
搜索关键词：	包括氧化铝材料 cvd 方案及其制造方法
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【主权项】：

1. 一种涂覆体，包括：一个基体和在该基体上的一个涂覆方案，其中该涂覆方案包括：含有碳氮化钛颗粒的一个碳氮化钛涂层，并且该碳氮化钛涂层是通过化学气相沉积在一个选定的持续时间进行涂覆以便在一个预选定的粒径终止这些碳氮化钛颗粒的生长，并且碳氮化钛涂层的厚度范围是在等于约0.5微米的一个下限和等于约25微米的一个上限之间；含有第一含钛/铝颗粒的一个第一含钛/铝涂层，并且该第一含钛/铝涂层是通过化学气相沉积在一个选定的持续时间进行涂覆以便在一个预选定的粒径终止这些第一含钛/铝颗粒的生长，并且该第一含钛/铝涂层的厚度范围在大于等于零微米的一个下限和等于约5微米的一个上限之间，并且该第一含铝/钛涂层比该碳氮化钛涂层离基体更远；以及含有氧化铝颗粒的一个氧化铝涂层，并且该氧化铝涂层是通过化学气相沉积在一个选定的持续时间进行涂覆以便在一个预选定的粒径终止这些氧化铝颗粒的生长，并且该氧化铝涂层厚度的范围在大于等于零微米的一个下限和等于约5微米的一个上限之间，并且该氧化铝涂层比该含铝/钛涂层离基体更远。

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申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C23C16/36
摘要：本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附；所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应，形成不稳定的碳碘键；所述卤代反应停止后，再通入氨气继续进行胺化反应，所述碳碘键中的碘原子被氨气中的氮原子取代；所述胺化反应结束后，硅衬底表面所形成的物质即为单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，更加有利于碳、氮原子的沉积和氮化碳薄膜的生长，且制得的氮化碳薄膜结构完整。

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申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/36
摘要：本发明形成一种耐蚀刻性优异且在曝光抗蚀剂膜时能够降低反射率的无定形碳膜。在半导体装置的制造方法中，包括：在晶片上形成蚀刻对象膜的工序，在处理容器内供给含有CO气体和N2气体的处理气体的工序，从供给的CO气体和N2气体形成无定形碳氮膜(330)的工序，在膜(330)上形成氧化硅膜(335)的工序，在膜(335)上形成ArF抗蚀剂膜(345)的工序，对ArF抗蚀剂膜(345)进行图案形成的工序，将ArF抗蚀剂膜(345)作为掩膜对氧化硅膜(335)进行蚀刻的工序，将氧化硅膜(335)作为掩膜对无定形碳氮膜(330)进行蚀刻的工序，将无定形碳氮膜(330)作为掩膜对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。

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申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C23C16/36
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摘要：本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，所述碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，所述碳源气体中的碳原子吸附在所述硅衬底上；所述吸附在硅衬底上的碳原子与通入的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗；再通入第三反应前驱体与所述卤代反应的产物进行胺化反应，在衬底表面形成单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方型氮化碳薄膜结构完整。

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专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]包括氧化铝和/或含钛材料的CVD涂覆方案及其制造方法有效

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