[发明专利]低压低功耗的CMOS电压基准参考电路有效
| 申请号： | 200710304219.0 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101470459A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王晗;叶青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压低功耗的CMOS电压基准参考电路，用于产生一基准电压，该CMOS电压基准参考电路包括一启动电路11，一自偏置电流源12，一具有负温度系数的电压产生器13、一基准电压调节器14，以及一单管电流镜MOS晶体管M0。该电路采用工作在亚阈值区的MOS晶体管来产生具有负温度系数的电压，同时利用工作在亚阈值区的MOS晶体管的套筒和折叠结构代替电阻放大具有正温度系数的电压，使其与具有负温度系数的电压相抵消，从而产生了与温度无关的基准电压。本发明的基准电路由于消除了电阻、电容等无源器件以及运算放大器的使用，大大减小了电路的元件数目和静态工作电流，从而减小了电路的功耗和面积。 | ||
| 搜索关键词： | 压低 功耗 cmos 电压 基准 参考 电路 | ||
【主权项】：
1、一种低压低功耗的CMOS电压基准参考电路，用于产生一基准电压，其特征在于，该CMOS电压基准参考电路包括一启动电路(11)，一自偏置电流源(12)，一具有负温度系数的电压产生器(13)、一基准电压调节器(14)，以及一单管电流镜MOS晶体管M0。
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