[发明专利]磁性存储器的写入方法有效
| 申请号： | 200710197175.6 | 申请日： | 2007-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101290796A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 何家骅 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磁性存储器的写入方法。磁性存储器包括第一磁性固定层、第二磁性固定层及磁性自由层。第一磁性固定层固定于第一磁性方向，第二磁性固定层固定于第二磁性方向。磁性自由层可磁化为第一磁性方向或第二磁性方向。写入方法包括：(a)施加外加磁场于磁性自由层；以及(b)提供第一电子流通过磁性自由层，以磁化磁性自由层为第一磁性方向或该第二磁性方向。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储器的写入方法，该磁性存储器包括第一磁性固定层、第二磁性固定层及磁性自由层，该第一磁性固定层固定于第一磁性方向，该第二磁性固定层固定于第二磁性方向，该磁性自由层可磁化为该第一磁性方向或该第二磁性方向，该写入方法包括：(a)施加外加磁场于该磁性自由层；以及(b)提供第一电子流通过该磁性自由层，以磁化该磁性自由层为该第一磁性方向或该第二磁性方向。
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