[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 200710161990.7 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101154659A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 山本宽 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体集成电路，其具有：第一功能块(10)，其连接到电源线(1、2)；第二功能块(20)，其连接到所述电源线(1、2)；以及电源开关(30)，其设置在所述电源线(1)和所述第一功能块(10)之间，且被配置来在待机模式时切断所述第一电源线(1)和所述第一功能块(10)之间的电连接。所述第一功能块(10)、所述第二功能块(20)和所述电源开关(30)分别包括第一MIS晶体管(LVT、MVT)、第二MIS晶体管(HVT)和第三MIS晶体管(MVT，31)。所述第一到第三晶体管(LVT、MVT、HVT)具有相同的导电类型。所述第三MIS晶体管(MVT，31)的阈值电压低于所述第二MIS晶体管(HVT)的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，包括：第一功能块，其连接到第一电源线和第二电源线；第二功能块，其连接到所述第一电源线和所述第二电源线；以及电源开关，其设置在所述第一电源线和所述第一功能块之间，且被配置来在待机模式时切断所述第一电源线和所述第一功能块之间的电连接，其中所述第一功能块、所述第二功能块和所述电源开关分别包括第一MIS晶体管、第二MIS晶体管和第三MIS晶体管，并且所述第一到第三晶体管具有相同导电类型，其中所述第三MIS晶体管的阈值电压低于所述第二MIS晶体管的阈值电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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