[发明专利]晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法及其晶圆有效
| 申请号： | 200710147981.2 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101279710A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 刘胜杰;吴子扬;李雅雯;朱孝硕;周学良;高嘉宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C5/00;H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法及其晶圆，其中该晶圆背面对准中重叠对准精度的判断方法，包含于晶圆正面上形成一埋层；在埋层上形成一导电层并在导电层上图案化出一第一测试结构以及一第二测试结构；在导电层上形成一蚀刻中止层；借由第一测试结构由晶圆背面进行蚀穿以完成对准程序；以及利用第二测试结构判断对准程序的重叠对准精度。其中第一测试结构为一光学游标，而第二测试结构为一电性测试结构。本发明也包括一种用于背面对准的晶圆和一种用于背面对准程序中重叠对准精度的判断方法。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 对准 重叠 精度 判断 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法，其特征在于其包含以下步骤：形成一埋层于一晶圆的正面；形成一导电层于该埋层上，且图案化该导电层以形成一第一测试结构以及一第二测试结构；形成一蚀刻中止层于该导电层上；由该晶圆的背面进行晶圆蚀穿以借由该第一测试结构完成一对准程序；以及借由该第二测试结构判断该对准程序的重叠对准精度。
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