[发明专利]晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法及其晶圆

说明书

技术领域

本发明涉及一种微机电系统(Micro-electro mechanical system，MEMS)装置的制程，特别是涉及一种在制作微机电元件中，晶圆背面对准的制程。本发明更涉及一种在在制作MEMS装置中，判断晶圆背面对准制程中重叠对准精度的改良方法以及装置。

背景技术

微机电系统(MEMS)装置已经被广泛地运用于各个领域中，如晶圆级封装、积体光学、压力感测器、复合元件以及背面通孔。在立体元件如MEMS元件的制程中，是先对基材的其中一面(正面)进行加工，经由翻转基材后再对另一面(背面)进行加工，以产生设计的立体结构。执行正面以及背面对准的步骤确保了立体结构能完全地对准。举例来说，假使一接触点(contact)由基材正面贯穿至其背面，该元件必须与其他元件精确地对准才能使两者间产生电性接触。

因此，需要一种简单且有效节省成本的方法及其装置，以于晶圆背面对准步骤中判断重叠对准精度。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有技术存在的缺陷，而提供一种新型的晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法及其晶圆，所要解决的技术问题是使其简化对准步骤并降低制程成本，非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法，包含：形成一埋层于一晶圆的正面；形成一导电层于该埋层上，且图案化该导电层以形成一第一测试结构以及一第二测试结构；形成一蚀刻中止层于该导电层上；由该晶圆的背面进行晶圆蚀穿以借由该第一测试结构完成一对准程序；以及借由该第二测试结构判断该对准程序的重叠对准精度。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法，其中所述的形成该导电层的步骤中，该第一测试结构为一光学游标，且该第二测试结构为一电性测试结构。

前述的晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法，其中所述的由该晶圆的背面进行晶圆蚀穿以借由该第一测试结构完成该对准程序的步骤包含：利用该晶圆正面上的该光学游标由该晶圆的背面执行一光学对准程序。

前述的晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法，其更包含：在该对准程序后，透过光微影制程图案化该晶圆的背面；以及蚀刻图案化后的该晶圆背面。

前述的晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法，其中所述的蚀刻图案化后的该晶圆背面步骤包含：蚀刻部份该电性测试结构，以形成一顶部电性测试结构以及一底部电性测试结构。

前述的晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法，其中借由该第二测试结构判断该对准程序的重叠对准精度步骤包含：量测该顶部电性测试结构以及该底部电性测试结构的阻抗值。

前述的晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法，其中所述的形成该埋层的步骤包含：配置该埋层形成一薄氧化层，其厚度约为125埃。

前述的晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法，其中所述的形成该导电层的步骤包含：配置该导电层形成一掺杂多晶硅，其厚度约为3000埃。

前述的晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法，其更包含：在该蚀刻中止层上形成一保护层，用以在该晶圆背面加工时保护该晶圆的正面，其中该保护层的厚度约为30000埃。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种用于背面对准的晶圆，包含：一基材，包含一正面以及一背面；一硬光罩，形成于该基材的该背面上；以及一对准层，形成于该基材的该正面上，其中该对准层包含：一薄氧化层，形成于该基材该正面上；一导电层，形成于该薄氧化层上；一厚氧化层，形成于该导电层上；以及一第一测试结构以及一第二测试结构，两者是以图案化形成于该导电层上，其中该第一测试结构是用于一背面对准程序，且该第二测试结构是用于判断该背面对准程序的重叠对准精度。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的晶圆背面对准的晶圆，其中所述的薄氧化层的厚度约为125埃，该导电层包含一厚度约为3000埃的掺杂多晶硅，该对准层更包含一形成于该厚氧化层上且厚度约为30000埃的保护层。

前述的晶圆背面对准的晶圆，其中所述的第二测试结构为一电性测试结构，该电性测试结构包含：一组顶部垫体；一组底部垫体；以及一中心主体，耦合于该组顶部垫体以及该组底部垫体；其中在从该基材背面至正面对该导电层后续蚀刻的制程中，该中心主体是分成一顶部以及一底部，该顶部是耦合于该组顶部垫体，且该底部是耦合于该组底部垫体。