[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710147130.8 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101136625A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 米田阳树;藤原英明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/041 | 分类号： | H03K17/041;H03K17/567;H03K17/60;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置(1)，具备反相器(14)和双极性晶体管(13)，该反相器(14)具备：分别包括源极、漏极和栅极电极的、且相互间所述漏极区域连接的、相互间所述栅极电极彼此连接的NMOSFET(11)和PMOSFET(12)；该双极性晶体管(13)包括集电极(C)、基极(B)和发射极(E)，且该基极(B)被输入了反相器(14)的输出。从而提供一种高耐压、且导通电阻低、断开时间短、可稳定动作的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备反相器和双极性晶体管，所述反相器具备：分别包括源极、漏极和栅极电极的、且相互间所述漏极彼此连接的、相互间所述栅极电极彼此连接的第一导电型第一场效应型晶体管和第二导电型第二场效应型晶体管；所述双极性晶体管包括集电极、基极和发射极，且所述基极被输入了所述反相器的输出。
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