[发明专利]差分电路和包括该差分电路的输出缓冲器电路无效
申请号: | 200710138608.0 | 申请日: | 2007-07-24 |
公开(公告)号: | CN101114514A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 柳钟在 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;H03K19/0185 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邸万奎;李芳华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种以高供电电压和低供电电压运行的多功率系统中的输出缓冲器电路,包括前置驱动器和主驱动器。前置驱动器对第一和第二差分输入信号执行差分切换操作,以输出第一和第二差分输出信号。主驱动器对经DC消除的、且经电平平移的第一和第二差分输出信号执行差分切换操作,以输出第三和第四差分输出信号。主驱动器包括:差分切换电路,其包括第一和第二NMOS晶体管,并且对经DC消除的、且经电平平移的第一和第二差分输出信号执行差分切换操作,以输出第三和第四差分输出信号;以及均衡器,其耦合在第一和第二NMOS晶体管的源电极之间,并且控制第三和第四差分输出信号的带宽。 | ||
搜索关键词: | 电路 包括 输出 缓冲器 | ||
【主权项】:
1.一种被配置为以高供电电压运行的差分电路,该差分电路包括:差分切换电路,其包括第一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,并且被配置为对第一差分输入信号和第二差分输入信号执行差分切换操作,以输出第一差分输出信号和第二差分输出信号,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的每一个是高电压NMOS晶体管;以及均衡器,其耦合在第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的源电极之间,并且被配置为控制所述第一差分输出信号和第二差分输出信号的带宽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710138608.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有旁路晶体管的非易失性存储器件及其操作方法
- 下一篇:可调高精回转顶尖