[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200710091713.3 | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101276863A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 余国辉;杨于铮;林安茹;柯淙凯;陈纬守;古依雯;郭政达 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制造方法。此发光二极管的制造方法至少包含：依序形成接合层、金层反射层、几何图案层、磊晶结构及第一电极于永久基板上，其中几何图案层具有一周期性结构；形成第二电极于永久基板的一侧，因而完成发光二极管。本发明的发光二极管是借由几何图案层和金属反射层来形成周期性结构的反射面，以反射不同角度的入射光，使发光二极管的发光集中由正向出光，因而可提升光取出率，进而增加发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种发光二极管，其特征在于，至少包含：一永久基板，具有相对的一第一表面和一第二表面；一接合层，设于所述永久基板的所述第一表面上；一几何图案层，设于所述接合层上，其中所述几何图案层具有一周期性结构；一金属反射层，设于所述接合层和所述几何图案层之间；一磊晶结构，设于所述几何图案层上，其中所述磊晶结构设有一第二电性半导体层、一主动层及一第一电性半导体层，以依序形成于所述几何图案层上，且所述第二电性半导体层的电性是相反于所述第一电性半导体层；一第一电极，形成于所述磊晶结构上；以及一第二电极，形成于所述永久基板的第二表面上。
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